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  • SmartScan 350-EMC
    SmartScan 350-EMC

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  • ESD掃描測(cè)試系統(tǒng)
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  • ES622系列TLP脈沖IV曲線(xiàn)系統(tǒng)
    ES622系列TLP脈沖IV曲線(xiàn)系統(tǒng)

    型號(hào):ES622-50

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  • ES612A ESD測(cè)試儀(HBM、HMM、MM)
    ES612A ESD測(cè)試儀(HBM、HMM、MM)

    型號(hào):ESDEMC

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  • ES640充電器件模型(CDM)測(cè)試系統(tǒng)
    ES640充電器件模型(CDM)測(cè)試系統(tǒng)

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  • TLP-1000A系列傳輸線(xiàn)脈沖發(fā)生器
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  • ES62X-LVS低壓浪涌系統(tǒng)
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  • 抗靜電能力測(cè)試系統(tǒng):現(xiàn)場(chǎng)檢測(cè)的設(shè)備選型與操作

    ESD敏感器件(如集成電路、傳感器芯片)對(duì)靜電極為敏感,哪怕微弱的靜電放電都可能造成內(nèi)部電路損壞,引發(fā)設(shè)備故障??轨o電能力測(cè)試系統(tǒng)通過(guò)科學(xué)模擬靜電場(chǎng)景,成為驗(yàn)證這類(lèi)器件防護(hù)性能的核心工具,為電子產(chǎn)業(yè)鏈的質(zhì)量安全保駕護(hù)航。?在測(cè)試方式上,系統(tǒng)需兼顧接觸放電與空氣放電兩種核心場(chǎng)景。接觸放電模擬人體直接觸碰器件時(shí)的靜電釋放,測(cè)試電壓需精準(zhǔn)覆蓋±2kV至±30kV,能清晰記錄器件在不同電壓下的耐壓極限,比如某類(lèi)芯片在15kV接觸放電后是否出現(xiàn)邏輯功能紊亂。...

    2025-06-26
  • 抗靜電能力測(cè)試系統(tǒng):原理與應(yīng)用深入解析

    在現(xiàn)代科技高度發(fā)達(dá)的時(shí)代,靜電問(wèn)題對(duì)電子設(shè)備的破壞性日益凸顯。因此,抗靜電能力測(cè)試系統(tǒng)成為了確保電子產(chǎn)品安全可靠運(yùn)行的關(guān)鍵環(huán)節(jié)??轨o電能力測(cè)試系統(tǒng)的核心原理是通過(guò)模擬實(shí)際靜電放電情況,評(píng)估電子產(chǎn)品的抗靜電能力。這一過(guò)程主要依賴(lài)于靜電放電模擬器(ESDSimulator)來(lái)實(shí)現(xiàn)。1、靜電放電模擬:靜電放電模擬器采用電容放電的原理,在被測(cè)產(chǎn)品與模擬器之間建立電容。通過(guò)模擬人體接觸到產(chǎn)品時(shí)可能產(chǎn)生的靜電放電,來(lái)評(píng)估產(chǎn)品的抗靜電能力。靜電放電模擬通常包括人體放電模式和設(shè)備放電模式,以...

    2025-03-18
  • 晶圓級(jí)ESD測(cè)試儀在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中的應(yīng)用

    在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)蓬勃發(fā)展的今天,靜電放電(ESD)對(duì)半導(dǎo)體器件的潛在威脅不容忽視。晶圓級(jí)ESD測(cè)試儀作為檢測(cè)和評(píng)估ESD防護(hù)能力的關(guān)鍵設(shè)備,正發(fā)揮著至關(guān)重要的作用。半導(dǎo)體制造過(guò)程非常復(fù)雜且精細(xì),從晶圓制造到芯片封裝,每一步都可能受到ESD的影響。ESD產(chǎn)生的瞬間高壓和大電流,可能會(huì)擊穿半導(dǎo)體器件內(nèi)部的微小結(jié)構(gòu),導(dǎo)致器件性能下降甚至失效。據(jù)統(tǒng)計(jì),因ESD造成的半導(dǎo)體產(chǎn)品損失占總損失的相當(dāng)比例,因此精確檢測(cè)和控制ESD至關(guān)重要。晶圓級(jí)ESD測(cè)試儀能夠在晶圓階段對(duì)ESD防護(hù)結(jié)構(gòu)進(jìn)行全面...

    2025-01-17
  • ES622系列TLP脈沖IV曲線(xiàn)系統(tǒng)在半導(dǎo)體器件中的應(yīng)用

    隨著半導(dǎo)體技術(shù)的不斷進(jìn)步,尤其是集成電路(IC)的復(fù)雜度不斷提高,器件的可靠性和性能測(cè)試變得愈加重要。ES622系列TLP脈沖IV曲線(xiàn)系統(tǒng)成為一種關(guān)鍵的測(cè)試工具,用于評(píng)估半導(dǎo)體器件在瞬態(tài)電流脈沖作用下的響應(yīng)。本文將介紹TLP脈沖IV曲線(xiàn)系統(tǒng)在半導(dǎo)體器件中的應(yīng)用,以及其在器件可靠性評(píng)估中的重要作用。TLP脈沖IV測(cè)試原理TLP脈沖IV曲線(xiàn)系統(tǒng)通過(guò)施加瞬態(tài)電流脈沖(通常是短時(shí)間的高電流脈沖)來(lái)模擬器件在實(shí)際工作環(huán)境中可能遇到的極端情況。該系統(tǒng)測(cè)量半導(dǎo)體器件在受到脈沖電流作用時(shí)的電...

    2024-12-18
  • 芯片靜電測(cè)試設(shè)備:半導(dǎo)體行業(yè)品質(zhì)保障的關(guān)鍵

    在集成電路(IC)和其他微電子器件制造過(guò)程中,靜電放電(ESD)是導(dǎo)致產(chǎn)品缺陷和失效的一個(gè)主要因素。因此,利用專(zhuān)業(yè)的芯片靜電測(cè)試設(shè)備來(lái)檢測(cè)和驗(yàn)證IC對(duì)靜電的承受能力變得至關(guān)重要。這類(lèi)設(shè)備不僅能幫助工程師們識(shí)別薄弱環(huán)節(jié),還能促進(jìn)產(chǎn)品設(shè)計(jì)和工藝的不斷改進(jìn),以提升整體可靠性。靜電測(cè)試的目的1.質(zhì)量控制:確保每一批次產(chǎn)品的靜電防護(hù)達(dá)到預(yù)定標(biāo)準(zhǔn)。2.故障分析:確定ESD事件對(duì)芯片的影響,追蹤根本原因。3.合規(guī)性驗(yàn)證:滿(mǎn)足國(guó)內(nèi)外相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)的要求,如IEC61000-4-2(人體模型)和MI...

    2024-11-20
  • 高壓脈沖發(fā)生器的工作原理

    高壓脈沖發(fā)生器的主要應(yīng)用:搭配二極管和電容注入探頭進(jìn)行ESD電流注入搭配場(chǎng)探頭或TEMCell進(jìn)行E&H場(chǎng)注入用于晶圓,PCB,系統(tǒng)級(jí)ESD調(diào)試(TLP通用方法)觸摸屏的ITO熔斷和故障測(cè)試充電恢復(fù)時(shí)間測(cè)試元件的ESD脈沖可靠性測(cè)試工作原理:1、高壓直流電源高壓直流電源的作用是將從電網(wǎng)輸入的交流電整流再逆變成高壓交流電,然后經(jīng)過(guò)整流變成高壓直流電。其主要由整流、功率因數(shù)校正、逆變、變壓器升壓和倍壓整流組成。2、高壓脈沖波形研究設(shè)計(jì)的高壓脈沖發(fā)生器產(chǎn)生的脈沖波形主要有方波、指數(shù)...

    2024-11-08
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